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    北京特博萬德科技

    氧化硅片

    北京特博萬德加工、銷售 氧化硅片,大量現貨。
    尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小塊;
     晶向: 100、111等;

     氧化層SiO2膜厚: 較?。?5nm、50nm等;常規100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;

     表面: 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化;
     類型: N型、P型、非摻雜高阻;
     電阻率: <0.0015~1等低阻區、1-10Ω.cm中阻區、>1000~10000高阻區;
     工藝:熱氧化工藝,也可PECVD加工 ;
     應用: 刻蝕鈍化層、金屬打線測試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
     供貨能力:大量現貨、參數齊全;
     訂制能力: 各種參數均可訂制。

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    商品描述

    北京特博萬德加工、銷售 氧化硅片,大量現貨。
    尺寸:1,2,3,4,5,6,8,12英寸;定制尺寸、切割小塊;
     晶向: 100、111等;

     氧化層SiO2膜厚: 較?。?5nm、50nm等;常規100-500nm;厚1um、2um;超厚>3um~10um;

     表面: 單面拋光雙面氧化、單片拋光單面氧化、雙面拋光雙面氧化;
     類型: N型、P型、非摻雜高阻;
     電阻率: <0.0015~1等低阻區、1-10Ω.cm中阻區、>1000~10000高阻區;
     工藝:熱氧化工藝,也可PECVD加工 ;
     應用: 刻蝕鈍化層、金屬打線測試、電性絕緣層、涂膠、器件層等。
     供貨能力:大量現貨、參數齊全;
     訂制能力: 各種參數均可訂制。









    上圖:不同尺寸、不同膜厚的氧化硅片展示圖


    下表:技術參數規格

    直徑

    2英寸

    3英寸

    4英寸(5英寸)

    6英寸

    8英寸(12英寸)

    導電類型

    P,N,U n

    P,N,U n

    P,N,U n

    P,N,U n

    P,N

    晶向

    <100>,<111>

    <100>,<111>

    <100>,<111>

    <100>,<111>

    <100>

    厚度(um

    200,280,400,500,as required

    380,>100,as required

    450,500,525,>25,as required

    625,650,675,as required

    650,700,725,775,as required

    表面

    單拋雙面氧化,
    雙拋雙面氧化

    單拋雙面氧化,
    雙拋雙面氧化

    單拋雙面氧化,
    單拋單面氧化,
    雙拋雙面氧化

    單拋雙面氧化,
    雙拋雙面氧化

    單拋雙面氧化,
    雙拋雙面氧化

    氧化層SiO2厚度

    300nm,500nm,1um,6um,
    as required

    100nm,200nm,300nm,2um,
    as required

    25nm,50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,5um,6um,
    as required

    100nm,200nm,300nm,500nm,1um,2um,3um,8um,as required

    300nm,500nm,2um,as required

    電阻率(Ω.cm

    <0.0015~1,1-100,>5000,>10000

    <0.0015~1,1-100,>5000,>10000

    <0.0015~1,1-100,>5000,>10000

    <0.0015~1,1-100,>5000,>10000

    <0.0015~1,1-100

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