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    北京特博萬德科技

    FZ區熔高阻硅片

    北京特博萬德加工、供應各種類型高阻硅片,以及苛刻要求的高質量硅片。

     生長方式:區熔(FZ)、中子輻照區熔(NTDFZ)等;

     尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非標直徑及異形硅片;
     表面:單拋、雙拋、研磨等;
     晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
     厚度:
    超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:1mm、2mm、5mm等;

     導電類型:非摻雜半絕緣;
     電阻率:>1Ω.cm,>1000Ω.cm,>3000Ω.cm, >5000Ω.cm, >10000Ω.cm,> 20000 Ω.cm;
     用途:紅外光學、太赫茲領域;整流器、場效應管、功率集成電路、射頻、超高壓二極管、傳感器等;
     工藝:可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜(銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni);
     供貨能力:大量庫存現貨,種類齊全,當天發貨!
     加工能力:各種規格可加工,為客戶量身定制!工期短!

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    商品描述

    北京特博萬德加工、供應各種類型高阻硅片,以及苛刻要求的高質量硅片。

     生長方式:區熔(FZ)、中子輻照區熔(NTDFZ)等;

     尺寸:1”,2”, 3”,4”,5”,6”,8”,12”和特殊非標直徑及異形硅片;
     表面:單拋、雙拋、研磨等;
     晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;
     厚度:
    超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:1mm、2mm、5mm等;

     導電類型:非摻雜半絕緣;
     電阻率:>1Ω.cm,>1000Ω.cm,>3000Ω.cm, >5000Ω.cm, >10000Ω.cm,> 20000 Ω.cm;
     用途:紅外光學、太赫茲領域;整流器、場效應管、功率集成電路、射頻、超高壓二極管、傳感器等;
     工藝:可加工氧化、 氮化、鍍金屬膜(銀Ag、金Au、鉑Pt、銅Cu、鈦Ti、鎳Ni);
     供貨能力:大量庫存現貨,種類齊全,當天發貨!
     加工能力:各種規格可加工,為客戶量身定制!工期短!





    高阻硅棒 透過曲線圖 太赫茲曲線圖
    XRD圖

    直徑

    2英寸、3英寸

    4英寸、5英寸

    6英寸

    8英寸

    12英寸

    晶向

    <100><111>

    <100><111><110>特殊晶向

    <100><111>

    <100><111>

    <100>

    厚度(um

    >50,280,400,500,1000,2000,as required

    200,450,500,525,1000,2000,3000,5000,
    as required

    625,650,675,1000,1500,as required

    650,700,725,1200,1500,
    as required

    700,775,as required

    電阻率(Ω.cm

    <1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
    as required

    <1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
    as required

    <1,>1,>100,>1000,>10000,>20000 
    as required

    >1,>100,>1000,>10000
     as required

    >1,>100,>1000,>10000
    as required

    TTVum

    <10,<5,<3

    <10,<5,<3

    <10,<5,<3

    <10,<5,<3

    <10,<5

    Bowum

    <20

    <20

    <30

    <40

    <50

    Warpum

    <20

    <20

    <30

    <40

    <50

    粗糙度(n m

    <0.2

    <0.2

    <0.2

    <0.2

    <0.2

    顆粒度

    <10@0.3

    <10@0.3

    <10@0.3

    <20@0.2

    <20@0.3


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