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    北京特博萬德科技

    低應力氮化硅片

    北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片,大量現貨。
    尺寸: 2,3,4,6英寸;
     工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應力低,成膜質量好等優點,成本也較高;
     氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
     表面:單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
     硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
     應用:鈍化膜、絕緣層、擴散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導體器件等領域;
     供貨能力:大量現貨、參數齊全;當天出庫;
     訂制能力: 各種參數均可訂制。

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    商品描述

    北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片,大量現貨。
    尺寸: 2,3,4,6英寸;
     工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應力低,成膜質量好等優點,成本也較高;
     氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
     表面:單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
     硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
     應用:鈍化膜、絕緣層、擴散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導體器件等領域;
     供貨能力:大量現貨、參數齊全;當天出庫;
     訂制能力: 各種參數均可訂制。













    上圖:不同膜厚的氮化硅片展示圖


    下表:技術參數規格

    直徑

    2英寸

    3英寸

    4英寸

    6英寸

    導電類型

    P,N

    P,N

    P,N,U n

    P,N,U n

    晶向

    <100>

    <100>

    <100>

    <100>

    厚度(um

    400,500 as required

    200,380 as required

    200,300,450,380,500,525 as required

    625 as required

    表面

    單拋雙面氮化,

    雙拋雙面氮化

    單拋雙面氮化,

    雙拋雙面氮化

    單拋雙面氮化,

    單拋單面氮化,

    雙拋雙面氮化

    單拋雙面氮化

    氮化層SiN厚度

    200nm,500nm,1um as required

    >50nm as required

    50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,400nm,500nm,800nm,1um  as required

    100nm,120nm  as required

    電阻率(Ω.cm

    <0.0015~1,1-100,

    高阻>5000,>10000

    <0.0015~1,1-100

    <0.0015~1,1-100,

    高阻>5000,>10000

    <0.0015~1,1-100,

    高阻>5000


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