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    低應力氮化硅片
    
			
    北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片，大量現貨。
     尺寸： 2，3，4，6英寸；
     工藝： LPCVD；LPCVD具有均勻性好，應力低，成膜質量好等優點，成本也較高；
     氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚；
     表面：單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化；
     硅片厚度：200um，500um等多種厚度；
     應用：鈍化膜、絕緣層、擴散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強度，防止硅片翹曲，并能抑制微缺陷形成。用于半導體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導體器件等領域；
     供貨能力：大量現貨、參數齊全；當天出庫；
     訂制能力： 各種參數均可訂制。
    
			
     ￥ 0.00
    
			
     0.00
    
			
						
					
    
            
    
	
    

    

    

      
    


    


    	
	
    
 
    
  
      
    商品描述
    

    

    北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片，大量現貨。
     尺寸： 2，3，4，6英寸；
     工藝： LPCVD；LPCVD具有均勻性好，應力低，成膜質量好等優點，成本也較高；
     氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚；
     表面：單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化；
     硅片厚度：200um，500um等多種厚度；
     應用：鈍化膜、絕緣層、擴散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強度，防止硅片翹曲，并能抑制微缺陷形成。用于半導體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導體器件等領域；
     供貨能力：大量現貨、參數齊全；當天出庫；
     訂制能力： 各種參數均可訂制。
    
	
    
	
    
		
			
    
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
			
    
			
    
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
				
					
    
				    		
			
    
			
    
				
					
    
 上圖：不同膜厚的氮化硅片展示圖
    

    
				    		
			
    
			
    
				
					
    
下表：技術參數規格
    

    

					
    
						
    
							
								
    
									
										
    
											直徑
										
    
									    		
									
										
    
											2英寸
										
    
									    		
									
										
    
											3英寸
										
    
									    		
									
										
    
											4英寸
										
    
									    		
									
										
    
											6英寸
										
    
									    		
								
    
								
    
									
										
    
											導電類型
										
    
									    		
									
										
    
											P,N
										
    
									    		
									
										
    
											P,N
										
    
									    		
									
										
    
											P,N,U n
										
    
									    		
									
										
    
											P,N,U n
										
    
									    		
								
    
								
    
									
										
    
											晶向
										
    
									    		
									
										
    
											<100>
										
    
									    		
									
										
    
											<100>
										
    
									    		
									
										
    
											<100>
										
    
									    		
									
										
    
											<100>
										
    
									    		
								
    
								
    
									
										
    
											厚度（um）
										
    
									    		
									
										
    
											400,500 as required
										
    
									    		
									
										
    
											200,380 as required
										
    
									    		
									
										
    
											200,300,450,380,500,525 as required
										
    
									    		
									
										
    
											625 as required
										
    
									    		
								
    
								
    
									
										
    
											表面
										
    
									    		
									
										
    
											單拋雙面氮化,
										
    
										
    
											雙拋雙面氮化
										
    
									    		
									
										
    
											單拋雙面氮化,
										
    
										
    
											雙拋雙面氮化
										
    
									    		
									
										
    
											單拋雙面氮化,
										
    
										
    
											單拋單面氮化,
										
    
										
    
											雙拋雙面氮化
										
    
									    		
									
										
    
											單拋雙面氮化
										
    
									    		
								
    
								
    
									
										
    
											氮化層SiN厚度
										
    
									    		
									
										
    
											200nm,500nm,1um as required
										
    
									    		
									
										
    
											>50nm as required
										
    
									    		
									
										
    
											50nm,100nm,150nm,200nm,300nm,400nm,500nm,800nm,1um  as required
										
    
									    		
									
										
    
											100nm,120nm  as required
										
    
									    		
								
    
								
    
									
										
    
											電阻率（Ω.cm）
										
    
									    		
									
										
    
											<0.0015~1,1-100,
										
    
										
    
											高阻>5000,>10000
										
    
									    		
									
										
    
											<0.0015~1,1-100
										
    
									    		
									
										
    
											<0.0015~1,1-100,
										
    
										
    
											高阻>5000,>10000
										
    
									    		
									
										
    
											<0.0015~1,1-100,
										
    
										
    
											高阻>5000
										
    
									    		
								
    
							    
						
    
					
    

    
				    		
			
    
		    
	
    

    

                                 
                    
    
	
    


    
    
    
  

 
 
 

    

    
    
	   
	
		
    
			
    
	
	
    

    

    


    
		
    



    





        
    
     
    	


    





 
	  
	


 
  
	

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