北京特博萬德加工、銷售 氮化硅片,大量現貨。 尺寸: 2,3,4,6英寸;
工藝: LPCVD;LPCVD具有均勻性好,應力低,成膜質量好等優點,成本也較高;
氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um甚至更厚;
表面:單面拋光雙面氮化、單面拋光單面氮化、雙面拋光雙面氮化;
硅片厚度:200um,500um等多種厚度;
應用:鈍化膜、絕緣層、擴散掩膜。硅中的氮能提高硅單晶的強度,防止硅片翹曲,并能抑制微缺陷形成。用于半導體光刻、納米壓印、PVD/CVD鍍膜、MEMS、半導體器件等領域;
供貨能力:大量現貨、參數齊全;當天出庫;
訂制能力: 各種參數均可訂制。
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上圖:不同膜厚的氮化硅片展示圖 |
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下表:技術參數規格
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