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    北京特博萬德科技

    外延硅片

    北京特博萬德提供3-8英寸硅外延片。
    摻雜類型和晶向:P100,P111,N100,N111;
     類型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
     外延厚度:0.1-100um;
     外延電阻率:0.001-100Ω.cm;
    可加工定制,詳情請電聯!

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    商品描述

    北京特博萬德提供3-8英寸硅外延片。
    摻雜類型和晶向:P100,P111,N100,N111;
     類型:P/P++, N/N++,N/N+, N/N+/N++,N/P/P,P/N/N+;
     外延厚度:0.1-100um;
     外延電阻率:0.001-100Ω.cm;
    可加工定制,詳情請電聯!


    一、硅外延的定義

    硅外延工藝實際上是一種薄層的單晶生長技術,它是在一定的條件下,在硅單晶的襯底片上,沿單晶的結晶方向生長一層具有一定導電類型,電阻率、厚度、晶格結構與體單晶一致的新單晶層。

    二、硅外延生長工藝的優點

    1、 生長溫度比它本身的熔點要低;
    2、 可以獲得純度高、缺陷少的單晶薄層;
    3、 由于摻雜工藝靈活,可以獲得多種結構的單晶或多層外延便于器件參數結構的調整。

    三、硅外延工藝的分類

    1、 按結構分類

       同質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料相同,例如N/N+,P/P+;
       異質外延——即外延層在結構與性質上與襯底材料不同,例:SOI(絕緣襯底上外延)。
    2、 按外延層的厚度和電阻率分類
      厚度和電阻率均可按客戶要求精確控制。
    3、 按外延生長方法分類
      直接法——不經過中間化學反應,硅原子直接從源轉移到襯底片上形成外延層,例:真空濺射法,分子束外延(物理法)液相外延等等;
      間接法——通過還原或分解硅化合物得到所需要的硅原子,然后在襯底上淀積形成外延層,我們的硅外延就屬于間接生長工藝。

    四、硅外延的基本原理

    硅化學氣相沉積外延生長其原理是在高溫(>1100℃)的襯底上輸送硅化合物(SiHCl3SiCl4SiH2Cl2等)利用氫(H2)在襯底上通過還原反應析出硅方法。
    氣相外延生長過程包括:
    1)反應劑(SiCl4SiHCl3+H2)氣體混合物質量轉移到襯底表面;
    2)吸收反應劑分子在表面上(反應物分子穿過附面層向襯底表面遷移);
    3)在表面上進行反應得到硅原子及其副產物;
    4)釋放出副產物分子;
    5)副產物分子向主氣流質量轉移;(排外)
    6)硅原子先在生長層表面形成原子集團——晶核,接著加接到晶核上,使晶核增大,形成新的晶面。

    Certificate

    Substrate

    Epi

    Diameter (mm)

    Φ76.2+/-0.5

    Type/Dopant

    N/PH

    Type/Dopant

    P/Boron

    Epi ResistivityΩ.cm 

    0.003-0.005

    Orientation

    <111>

    Epi Thickness(μm)

    25-30

    Thicknessμm )

    355-407

    Surface

    Good

    ResistivityΩ.cm 

    0.004-0.008

    Qty

    25PCS

    Part No:

    M-72T-.004

    EPI RUN NO: 3N119C2WX001


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