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    北京特博萬德科技

    砷化鎵晶片GaAs

    北京特博萬德科技有限公司專業生產定制高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
    尺寸:1 " ,2" ,3",4",6" ;
     晶向:(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角;
     類型:N- type 摻Si, P- type 摻Zn,半絕緣Undope;
     厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

     提供“激光領域” 用高質量 超薄雙拋GaAs ;提供光學透過可用的雙拋半絕緣GaAs ;
     提供高質量低位錯的EPD<500、<300、<100、<50 的高質量LD級外延用GaAs;
     工藝加工:鍍增透膜、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延(PN結、LED各色外延、LD激光器)。


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    商品描述

    北京特博萬德科技有限公司專業生產定制高質量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。
    尺寸:1 " ,2" ,3",4",6" ;
     晶向:(100),(111)和偏2°、4°、6°、10°、16°等各種偏角;
     類型:N- type 摻Si, P- type 摻Zn,半絕緣Undope;
     厚度:100um、120um、350um、400um、500um、600um、625um;

     提供“激光領域” 用高質量 超薄雙拋GaAs ;提供光學透過可用的雙拋半絕緣GaAs ;
     提供高質量低位錯的EPD<500、<300、<100、<50 的高質量LD級外延用GaAs;
     工藝加工:鍍增透膜、鍍金等歐姆接觸、砷化鎵電池、砷化鎵外延(PN結、LED各色外延、LD激光器)。



    Parameter

    Guaranteed / Actual Values

    UOM

    Parameter

    Guaranteed / Actual Values

    UOM

    Growth Method:

    VGF

     

    Growth Method:

    VGF

     

    Conduct Type:

    S-I-N

     

    Conduct Type:

    S-I-N

     

    Dopant:

    Undoped

     

    Dopant:

    Undoped

     

    Diameter:

    50.7± 0.1

    mm

    Diameter:

    100.0± 0.2

    mm

    Orientation:

    (100)± 0.50

     

    Orientation:

    (100)± 0.30

     

    OF location/length:

    EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1

     

    OF location/length:

    EJ [ 0-1-1]± 0.50/32.5±1

     

    IF location/length:

    EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1

     

    IF location/length:

    EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/18±1

     

    Resistivity:

    Min: 1.0 E8

    Max: 2.2 E8

    ?·cm

    Resistivity:

    Min: 1.5 E8

    Max: 2.0 E8

    ?·cm

    Mobility:

    Min: 4500

    Max: 5482

    cm2/v.s

    Mobility:

    Min: 4832

    Max: 4979

    cm2/v.s

    EPD:

    Min: 700

    Max: 800

    / cm2

    EPD:

    Min: 600

    Max: 700

    / cm2

    Thickness:

    350± 20

    μm

    Thickness:

    625± 25

    μm

    Edge Rounding:

    0.25

    mmR

    Edge Rounding:

    0.375

    mmR

    Laser Marking:

    N/A

     

     

     

     

    TTV/TIR:

    Max: 10

    μm

    TTV/TIR:

    Max: 3

    μm

    BOW:

    Max: 10

    μm

    BOW:

    Max: 4

    μm

    Warp:

    Max: 10

    μm

    Warp:

    Max: 5

    μm

    Partical  Count:

    50/wafer(for particle>0.3um)

     

    Partical  Count:

    100/wafer(for particle>0.3um)

     

    Surface Finish– front:

    Polished  

     

    Surface Finish– front:

    Polished  

     

    Surface Finish –back:

    Etched

     

    Surface Finish –back:

    Polished

     

    Epi-Ready:

    Yes

     

    Epi-Ready:

    Yes

    Parameter

    Actual Values

    UOM

    Parameter

    Guaranteed / Actual Values

    UOM

    Growth Method

    VGF

     

    Growth Method

    VGF

     

    Conduct Type

    S-C-N

     

    Conduct Type

    S-C-P

     

    Dopant

    GaAs-Si

     

    Dopant

    GaAs-Zn

     

    Diameter

    50.7± 0.1

    mm

    Diameter

    76.2± 0.3

    mm

    Orientation

    (100) 20 ± 0.50 off toward(011)

     

    Orientation

    (100)± 0.50

     

    OF location/length

    EJ [ 0-1-1]± 0.50/16±1

      

    OF location/length

    EJ [ 0-1-1]± 0.50/22±1

      

    IF location/length

    EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/ 7±1

             

    IF location/length

    EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/12±1

             

    Ingot CC

    Min: 0.518 E  Max: 1.7 E+18

    /cm3

    Ingot CC

    Min: 5.1 E+19  Max: 5.8 E+19

    /cm3

    Resistivity

    Min: 1.9 E-3  Max:6.1E-3

    ?·cm

    Resistivity

    Min: N/A

    ?·cm

    Mobility

    Min: 1913    Max:2616

    cm2/v.s

    Mobility

    Min: 71    Max: 72

    cm2/v.s

    EPD

    Min:50      Max: 100

    / cm2

    EPD

    Min: 600   Max: 800

    /cm2

    Thickness

    350±20

    μm

    Thickness

    625±20

    μm

    Edge Rounding

    0.25

    mmR

    Edge Rounding

    0.25

    mmR

    Laser Marking

    N/A

     

    Laser Marking

    Front side

     

    TTV

    10

    μm

    TTV

    15

    μm

    TIR

    10

    μm

    TIR

    15

    μm

    BOW

    10

    μm

    BOW

    15

    μm

    Warp

    10

    μm

    Warp

    15

    μm

    Surface Finish– front

    Polished   

     

    Surface Finish– front

    Polished   

     

    Surface Finish –back

    Etched

     

    Surface Finish –back

    Polished  

     

    Partical Count

    50/ wafer for particle0.3μm)

     

    Partical Count

    50/ wafer for particle0.3μm2)

     

    Epi-Ready

    Yes

     

    Epi-Ready

    Yes


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