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    北京特博萬德科技

    砷化銦晶片InAs

    北京特博萬德供應砷化銦InAs 晶片。
    尺寸:2,3英寸;
     闡述:
    InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應和小的電阻溫度系數,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
    InAs的發射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。

     應用:InAs可以生長InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質結構材料,制作波長2-12μm的紅外發光器件。

    用InAs單晶襯底還可以外延生長InAsPSb超晶格結構材料,制作中紅外量子級聯激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領域有良好的應用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。



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    商品描述

    北京特博萬德供應砷化銦InAs 晶片。
    尺寸:2,3英寸;
     闡述:
    InAs晶體具有較高的電子遷移率和遷移率比值(μe/μh=70),低的磁阻效應和小的電阻溫度系數,是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
    InAs的發射波長3.34μm,在InAs襯底上能生長晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料,可制造2~4μm波段的光纖通信用的激光器和探測器。

     應用:InAs可以生長InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等異質結構材料,制作波長2-12μm的紅外發光器件。

    用InAs單晶襯底還可以外延生長InAsPSb超晶格結構材料,制作中紅外量子級聯激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領域有良好的應用前景。此外,InAs單晶具有很高的電子遷移率,是一種制作Hall器件的理想材料。




    Growth Method

    VGF

    Type/Dopant

    Un

    N/S/Sn

    P/Zn

    Diameter

    2inch/3inch/4inch

    Orientation

    100/111

    Surface

    Polished/Etched

    Epi-ready

    Yes

    Package

    single

     

    Size

    2inch

    3inch

    4inch

    Diametermm

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

    Thickness(um)

    500±25

    600±25

    800±25

    OF(mm)

    16±2

    22±2

    32.5±2

    IF(mm)

    8±2

    12±2

    18±2

    TTV(um)

    <10

    <10

    <15

    BOW(um)

    <10

    <10

    <15

    Warp(um)

    <15

    <15

    <15

     

    Electrical parameters

    Dopant

    Conduct Type

    Ingot CC(/cm3)

    Mobility (cm2/v.s)

    Resistivity (?·cm)

    EPD(/cm3)

    Undoped

    N

    5E16

    3E4

    /

    <5E4

    S-InAs

    N

    1~10E17

    0.6~2E4

    /

    <5E4

    Sn-InAs

    N

    5~20E17

    (0.7~2) E4

    /

    <5E4

    Zn-InAs

    P

    (1~10E18

    100~400

    /

    <5E4


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