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    北京特博萬德科技

    銻化銦晶片InSb

    北京特博萬德供應2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
    InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對應于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
    另外在電荷注入器件方面,InSb器件的位數已達128×128陣列。3~5μm波段InSb光伏探測器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發展,并已作成元數較多的兩維陣列。

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    商品描述

    北京特博萬德供應2寸和3寸的銻化銦InSb晶片。
    InSb單晶電子遷移率高,是良好的紅外探測器件、霍耳器件、磁阻器件的襯底材料。例如,對應于大氣透射窗口3~5μm波段的成像器件和InSb焦平面陣列器件。
    另外在電荷注入器件方面,InSb器件的位數已達128×128陣列。3~5μm波段InSb光伏探測器作為敏感元件組成的混成焦平面陣列也得到很大發展,并已作成元數較多的兩維陣列。


    Growth Method

    VGF

    Type/Dopant

    Un

    N/S/Sn

    P/Zn

    Diameter

    2inch/3inch

    Orientation

    100

    Surface

    Polished/Etched

    Epi-ready

    Yes

    Package

    single

    Size

    2inch

    3inch

    Diametermm

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    Thickness(um)

    500±25

    650±25

    OF(mm)

    16±2

    22±2

    IF(mm)

    8±2

    12±2

    TTV(um)

    <10

    <15

    BOW(um)

    <15

    <15

    Warp(um)

    <15

    <15

    Electrical parameters

    Dopant

    Conduct Type

    Ingot CC(/cm3)

    Mobility (cm2/v.s)

    Resistivity (?·cm)

    EPD(/cm3)

    Undoped

    N

    5-10E13

    0.5-2E5

    /

    ≤200or≤500

    Te

    N

    1-1000E14

    0.2-1E5

    /

    ≤200or≤500

    Ge

    P

    0.5-5E15

    4000-8000

    /

    ≤200or≤500


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