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    北京特博萬德科技

    銻化鎵晶片GaSb

    北京特博萬德供應2寸、3寸和4寸銻化鎵GaSb晶片。

     銻化鎵(GaSb)是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導體材料,是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關鍵材料;非制冷中長波紅外探測器具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優點;該產品廣泛應用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池。

     它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數相匹配, 這些材料光譜的范圍在(0 .8 ~ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長波長(8 ~ 14)μm 范圍的探測器。

    GaSb 基材料制造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應用價值外, 在其他領域也有很大的潛在應用價值, 如制作多種用途的紅外探測器件及火箭和監視系統中的紅外成像器件, 用于火災報警和環境污染檢測的傳感器, 監測工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。


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    商品描述

    北京特博萬德供應2寸、3寸和4寸銻化鎵GaSb晶片。

     銻化鎵(GaSb)是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導體材料,是Ⅱ類超晶格非制冷中長波紅外探測器及焦平面陣列的關鍵材料;非制冷中長波紅外探測器具有長壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等優點;該產品廣泛應用在紅外激光器、紅外探測器、紅外傳感器、熱光伏電池。

     它可以與各種Ⅲ -Ⅴ族材料的三元、四元固熔體合金的晶格常數相匹配, 這些材料光譜的范圍在(0 .8 ~ 4 .0)μm 之間, 正好符合要求。另外, 利用GaSb 基材料超晶格的帶間吸收也可以制造更長波長(8 ~ 14)μm 范圍的探測器。

    GaSb 基材料制造的器件除了在光纖通信中有巨大的潛在應用價值外, 在其他領域也有很大的潛在應用價值, 如制作多種用途的紅外探測器件及火箭和監視系統中的紅外成像器件, 用于火災報警和環境污染檢測的傳感器, 監測工廠中腐蝕氣體(如HCl 等)和有毒氣體的泄漏的傳感器等。



    Growth Method

    VGF

    Type/Dopant

    Un

    N/Te

    P/Zn

    Diameter

    2inch/3inch/4inch

    Orientation

    100/111

    Surface

    Polished/Etched

    Epi-ready

    Yes

    Package

    single

    Size

    2inch

    3inch

    4inch

    Diametermm

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

    Thickness(um)

    500±25

    600±25

    800±25

    OF(mm)

    16±2

    22±2

    32.5±2

    IF(mm)

    8±2

    12±2

    18±2

    TTV(um)

    <10

    <10

    <20

    BOW(um)

    <15

    <15

    <20

    Warp(um)

    <15

    <15

    <20

    Electrical parameters

    Dopant

    Conduct Type

    Ingot CC(/cm3)

    Mobility (cm2/v.s)

    Resistivity (?·cm)

    EPD(/cm3)

    Undoped

    P

    1~2E17

    600~700

    /

    <1E3

    Te- GaSb

    N

    1~20E17

    2000~3500

    /

    <1E3

    Zn- GaSb

    P

    (5~100E17

    200~500

    /

    <1E3

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