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    北京特博萬德科技

    磷化銦晶片InP

    北京特博萬德供應磷化銦InP晶片。
    尺寸:2寸,3寸,4寸;
     表面:單拋、雙拋;
     厚度:350um、500um、625um等;

     闡述:磷化銦(InP)是一種重要的化合物半導體材料,具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點;
    應用:制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態發光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導/導航、衛星等民用和軍事等領域的應用十分廣闊。


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    商品描述

    北京特博萬德供應磷化銦InP晶片。
    尺寸:2寸,3寸,4寸;
     表面:單拋、雙拋;
     厚度:350um、500um、625um等;

     闡述:磷化銦(InP)是一種重要的化合物半導體材料,具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點;
    應用:制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態發光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導/導航、衛星等民用和軍事等領域的應用十分廣闊。



    Growth Method

    VGF

    Diameter

    2inch/3inch/4inch

    Type/Dopant

    Un

    N/S/Sn

    P/Zn

    Orientation

    <100> ±0.5°

    Surface

    Polished/Etched

    Epi-ready

    Yes

    Package

    Cassette or single

     

    Size

    2inch

    3inch

    4inch

    Diametermm

    50.8±0.3

    76.2±0.3

    100±0.3

    Thickness(um)

    350±25

    625±25

    625±25

    OF(mm)

    16±2

    22±2

    32.5±2

    IF(mm)

    8±2

    12±2

    18±2

    TTV(um)

    <10

    <15

    <15

    BOW(um)

    <15

    <15

    <15

    Warp(um)

    <15

    <15

    <15

     

    Electrical parameters

    Dopant

    Conduct Type

    Ingot CC(/cm3)

    Mobility (cm2/v.s)

    Resistivity ?·cm

    EPD(/cm3)

    Undoped

    N

    3E16

    >1700

    /

    <5E4

    S-InP

    N

    0.5~5E18

    1~4E3

    /

    <5E4

    Fe-InP

    N

    0.1~1E8

    >1700

    >1E7

    <5E4

    Zn-InP

    P

    (0.6~6E18

    >50

    /

    <5E4


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