<rt id="298xk"><optgroup id="298xk"></optgroup></rt>
  1. <source id="298xk"><nav id="298xk"><button id="298xk"></button></nav></source>
  2.  
    • 歡迎光臨 北京特博萬德科技有限公司 企業官網!
    簡體中文
    北京特博萬德科技

    氮化鎵晶片GaN

    北京特博萬德供應純GaN氮化鎵晶片。
    尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供應。
    GaN氮化鎵晶片常用于發光二極管的二元III / V直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料,具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二極管成為可能的基板,而不使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低(與其他III族氮化物一樣),使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。由于設備在輻射環境中表現出穩定性,因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外,GaN為THz器件提供了有前景的特性。

    0.00
    0.00
      
    商品描述

    北京特博萬德供應純GaN氮化鎵晶片。
    尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供應。
    GaN氮化鎵晶片常用于發光二極管的二元III / V直接帶隙半導體。該化合物是一種非常堅硬的材料,具有纖鋅礦晶體結構。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應用提供了特殊的性能。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二極管成為可能的基板,而不使用非線性光學倍頻。它對電離輻射的敏感性很低(與其他III族氮化物一樣),使其成為衛星太陽能電池陣列的合適材料。由于設備在輻射環境中表現出穩定性,因此軍事和太空應用也可能受益。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。此外,GaN為THz器件提供了有前景的特性。


    Conduct Type

    Semi-Insulating

    N

    N

    Type/Dopant

    Fe

    Ge

    Undoped

    Size

    10*10.5 mm,50.8± 0.1 mm

    Orientation

    C-plane (0001) off angle toward M-Axis0.35°±0.15°  

    Total Thickness

    350 ± 25 μm

    Surface front

    Polished

    OF location/length

    (1-100) ± 0.5°/16.0 ± 1.0 mm

    IF location/length

    (11-20) ± 3°/ 8.0 ± 1.0 mm

    Resistivity300K

    >1E6 ohm·cm

    <0.05 ?·cm

    <0.5 ?·cm

    EPD

    (1~9)E5/ cm2

    5E5~3E6/ cm2

    1~3E6/ cm2

    Ingot CC

    >6E16/cm3

    Ra(nm)

    Front surface Ra<0.2nm

    TTV(um)

    <15

    BOW(um)

    <20

    Warp(um)

    <20

    Epi-ready

    Yes

    Package

    Single in 100 class room


    海南彩票网