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    北京特博萬德科技

    碳化硅晶片SiC

    北京特博萬德供應2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。
    碳化硅(SiC)是一種性能優越的新型化合物半導體材料。碳化硅半導體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(約為硅的10倍)、高熱導率(約為硅的3倍)等優良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導體材料。同時,也是僅次于鉆石的優良的半導體材料。

    目前我們還提供標準的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、結型場效應晶體管(JFET)和雙極結型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應用于包括太陽能逆變器、風力發電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節能系統。


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    商品描述

    北京特博萬德供應2,3,4,6英寸,切割小塊的SiC碳化硅晶片。
    碳化硅(SiC)是一種性能優越的新型化合物半導體材料。碳化硅半導體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(約為硅的10倍)、高熱導率(約為硅的3倍)等優良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導體材料。同時,也是僅次于鉆石的優良的半導體材料。

    目前我們還提供標準的2英寸、3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、結型場效應晶體管(JFET)和雙極結型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應用于包括太陽能逆變器、風力發電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節能系統。



    等級 Grade

    工業級Production

    研究級Research grade

    試片級Dummy Grade

    直徑

    50.8 mm±0.38 mm2英寸

    厚度

    330 μm±25μm

    晶片方向

    On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

    Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

    微管密度cm-2

    ≤5

    ≤15

    ≤50

     

    電阻率(Ω·cm)

     4H-N

    0.015~0.028 Ω·cm

    6H-N

    0.02~0.1

    4/6H-SI

    >1E5

    (90%) >1E5

    主定位邊方向

    {10-10}±5.0°

    主定位邊長度 (mm)

    15.9 ±1.7

    次定位邊長度 (mm)

    8.0 ±1.7

    次定位邊方向

    Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

    邊緣

    1 mm

    TTV/Bow /Warp (um)

    ≤15 /≤25 /≤25

    表面粗糙度

    Polish Ra≤1 nm

    CMP Ra≤0.5 nm

    裂紋(強光燈觀測) #

    None

    None

    1 allowed, ≤1 mm

    六方空洞(強光燈觀測)*

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤3 %

    多型(強光燈觀測)*

    None

    Cumulative area≤2 %

    Cumulative area≤5%

    劃痕(強光燈觀測)*

    3 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    8 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    崩邊#

    None

    3 allowed,≤0.5 mm each

    5 allowed,≤1 mm each

    表面污染物(強光燈觀測)

    None


    等級 Grade

    工業級Production

    研究級Research grade

    試片級Dummy Grade

    直徑 76.2±0.38mm(3英寸)

    厚度

    350 μm±25μm

    晶片方向

    On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

    Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

    微管密度cm-2

    ≤5

    ≤15

    ≤50

     

    電阻率(Ω·cm)

     4H-N

    0.015~0.028 Ω·cm

    6H-N

    0.02~0.1

    4/6H-SI

    >1E5

    (90%) >1E5

    主定位邊方向

    {10-10}±5.0°

    主定位邊長度 (mm)

    22.2 mm±3.2 mm

    次定位邊長度 (mm)

    11.2 mm±1.5 mm

    次定位邊方向

    Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

    邊緣

    2 mm

    TTV/Bow /Warp (um)

    ≤15 /≤25 /≤35

    表面粗糙度

    Polish Ra≤1 nm

    CMP Ra≤0.5 nm

    裂紋(強光燈觀測) #

    None

    1 allowed,≤1 mm

    1 allowed, ≤2 mm

    六方空洞(強光燈觀測)*

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤3 %

    多型(強光燈觀測)*

    None

    Cumulative area≤2 %

    Cumulative area≤5%

    劃痕(強光燈觀測)*

    3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

    5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    8 scratches to 2×wafer diameter cumulative length

    崩邊#

    None

    3 allowed,≤0.5 mm each

    5 allowed,≤1 mm each

    表面污染物(強光燈觀測)

    None



    等級 Grade

    工業級Production

    研究級Research grade

    試片級Dummy Grade

    直徑

    100±0.5mm(4英寸)

    厚度

    350 μm±25μm

    晶片方向

    On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

    Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

    微管密度cm-2

    ≤5

    ≤15

    ≤50

     

    電阻率(Ω·cm)

     4H-N

    0.015~0.028 Ω·cm

    6H-N

    0.02~0.1

    4/6H-SI

    >1E5

    (90%) >1E5

    主定位邊方向

    {10-10}±5.0°

    主定位邊長度 (mm)    

    32.5±2.5mm

    次定位邊長度 (mm)                                           

    18.0±2mm

    次定位邊方向

    Silicon face up 90° CW. from Prime flat ±5.0°

    邊緣

    3mm

    TTV/Bow /Warp (um)

    ≤15 /≤25 /≤40

    表面粗糙度

    Polish Ra≤1 nm

    CMP Ra≤0.5 nm

    裂紋(強光燈觀測) #                               

    None

    1 allowed,≤2 mm

    Cumulative length ≤ 10mm,single length≤2mm

    六方空洞(強光燈觀測)*

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤3 %

    多型(強光燈觀測)*

    None

    Cumulative area≤2 %

    Cumulative area≤5%

    劃痕(強光燈觀測)*

    3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

    5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    5scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    崩邊#

    None

    3 allowed,≤0.5 mm each

    5 allowed,≤1 mm each

    表面污染物(強光燈觀測)

    None



    等級 Grade

    工業級Production

    研究級Research grade

    試片級Dummy Grade

    直徑 150±2.0mm(6英寸)

    厚度

    350 μm±25μm

    晶片方向

    On axis  <0001>±0.5° for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI

    Off axis4.0° toward 1120±0.5° for 4H-N/4H-SI

    微管密度cm-2

    ≤5

    ≤15

    ≤50

     

    電阻率(Ω·cm)

     4H-N

    0.015~0.028 Ω·cm



    4/6H-SI

    >1E5

    主定位邊方向

    {10-10}±5.0°

    主定位邊長度 (mm)

    47.5 mm±2.5 mm

    邊緣

    3mm

    TTV/Bow /Warp (um)

    ≤15 /≤40 /≤60

    表面粗糙度

    Polish Ra≤1 nm

    CMP Ra≤0.5 nm

    裂紋(強光燈觀測) #

    None

    1 allowed,≤2 mm

    Cumulative length ≤ 10mm,single length≤2mm

    六方空洞(強光燈觀測)*

    Cumulative area≤1 %

    Cumulative area≤2 %

    Cumulative area≤5%

    多型(強光燈觀測)*

    None

    Cumulative area≤2 %

    Cumulative area≤5%

    劃痕(強光燈觀測)*

    3 scratches to1×wafer diameter cumulative length

    5 scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    5scratches to 1×wafer diameter cumulative length

    崩邊#

    None

    3 allowed,≤0.5 mm each

    5 allowed,≤1 mm each

    表面污染物(強光燈觀測)

    None



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