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    北京特博萬德科技

    藍寶石襯底

    北京特博萬德供應藍寶石sapphire晶片。
    尺寸:2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊;
     C向、M向、R向;單拋、雙拋;
     厚度:100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm;
     闡述:藍寶石是氧化鋁的單晶,是自然界里硬度第二的材料,僅次于鉆石。藍寶石具有良好的透光性,高強度、抗碰撞阻力,耐磨性,抗腐蝕及抗高溫高壓,生物相容性,可以做成各種形狀的物體。是制作半導體光電子器件的一種理想襯底材料。
     應用:藍寶石單晶是一種優良的多功能材料??梢詮V泛應用于工業,國防和科研等多個領域(如耐高溫紅外窗口)。同時它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當前藍、紫、白光發光二極管(LED)和藍光激光器(LD)工業的先選基片(需要在藍寶石基片上外延氮化鎵膜層),也是重要的超導薄膜基片。除了可以制作Y-系,La-系等高溫超導薄膜外,還可以用于生長新型實用MgB2(二硼化鎂)超導薄膜。  

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    商品描述

    北京特博萬德供應藍寶石sapphire晶片。
    尺寸:2英寸、4英寸、6英寸和切割小塊;
     C向、M向、R向;單拋、雙拋;
     厚度:100um、280um、300um、350um、430um、500um、650um、1mm;
     闡述:藍寶石是氧化鋁的單晶,是自然界里硬度第二的材料,僅次于鉆石。藍寶石具有良好的透光性,高強度、抗碰撞阻力,耐磨性,抗腐蝕及抗高溫高壓,生物相容性,可以做成各種形狀的物體。是制作半導體光電子器件的一種理想襯底材料。
     應用:藍寶石單晶是一種優良的多功能材料??梢詮V泛應用于工業,國防和科研等多個領域(如耐高溫紅外窗口)。同時它也是一種用途廣泛的單晶基片材料。是當前藍、紫、白光發光二極管(LED)和藍光激光器(LD)工業的先選基片(需要在藍寶石基片上外延氮化鎵膜層),也是重要的超導薄膜基片。除了可以制作Y-系,La-系等高溫超導薄膜外,還可以用于生長新型實用MgB2(二硼化鎂)超導薄膜。  


    晶向

    C0001

    R1-102

    M(10-10)

    A11-20

    物理性能

    C軸均有晶光性,其他軸具有負光性;C面為平面,最好切。

    A稍難切。

    M面為階梯鋸齒狀,不好切,容易切裂。

    A向硬度明顯高于C向,具體表現在耐磨,耐刮,硬度高;A面為Z型鋸齒狀面,比較好切;

    應用

    C向的藍寶石基底被用于生長III-V II-VI族沉積薄膜,比如氮化鎵,可以產出藍色的LED產品、激光二極管以及紅外線探測儀的應用。  
    這主要是因為藍寶石晶體沿C軸生長的工藝成熟、成本相對較低、物化性能穩定,C面進行磊晶的技術成熟穩定。

    R向基底生長的不同沉積的硅料外延長晶,被應用于微電子集成電路。

    此外,在對外延硅生長制膜的過程中,還可以形成高速的集成電路和壓力傳感器。在制作砣、其它超導組件、高阻電阻器、砷化鎵時亦可應用R型基底生長。

    主要用來生長非極性/半極性面GaN外延薄膜,以提高發光效率。

    A向基底產生統一的電容率/介質,并且高度絕緣被應用于混合微電子技術中。高溫的超導體可由A型基底長晶產生。

    加工能力

    圖案化藍寶石基板(Pattern Sapphire Substrate簡稱PSS)以成長(Growth)或蝕刻(Etching)的方式,在藍寶石基板上設計制作出納米級特定規則的微結構圖案藉以控制LED之輸出光形式,并可同時減少生長在藍寶石基板上GaN之間的差排缺陷,改善磊晶質量,并提升LED內部量子效率、增加光萃取效率。

    此外,可按客戶要求加工定制藍寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺等各種結構件。

    性質說明

    密度

    硬度

    熔點

    折射率(可見光和紅外波段)

    透光率(雙拋)

    介電常數

    3.98g/cm3

    9(mohs)

    2053℃

    1.762~1.770

    ≥85%

    11.58@300K at C axis(9.4 at A axis

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