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    北京特博萬德科技

    離子注入機

    北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機。
    法國IBS公司成立于1987年,在近30年的時間里,一直致力于離子注入領域的研發、設計制造與服務。并不斷升級和提高在該領域的技術水平。在IBS法國,公司的創始人是來自法國軍方的技術專家,在他帶領下,整個技術團隊對技術更新的熱枕大于市場運作的努力,嚴謹低調的作風保證了設備的高質量和超強的穩定性。盡管如此,IBS公司在世界范圍內已經銷售超過100臺注入機,可以預見在未來幾年,IBS產品必將在離子注入領域成為無可匹敵的競爭者。

    產品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。

    主要用于半導體微電子襯底材料摻雜,在晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。


          


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    商品描述

    北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機。
    法國IBS公司成立于1987年,在近30年的時間里,一直致力于離子注入領域的研發、設計制造與服務。并不斷升級和提高在該領域的技術水平。在IBS法國,公司的創始人是來自法國軍方的技術專家,在他帶領下,整個技術團隊對技術更新的熱枕大于市場運作的努力,嚴謹低調的作風保證了設備的高質量和超強的穩定性。盡管如此,IBS公司在世界范圍內已經銷售超過100臺注入機,可以預見在未來幾年,IBS產品必將在離子注入領域成為無可匹敵的競爭者。

    產品有多種型號包括低能注入、中束流注入和高能注入,IBS更具有按照客戶要求設計定制的能力。

    主要用于半導體微電子襯底材料摻雜,在晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能。


          



    型號

    IMC200

    型號

    PULSION

    應用

    設備主要用于半導體微電子襯底材料摻雜,在晶圓上注入B、P、As等元素,并且具備升級注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能

    優勢

    ü3D浸沒式全方位離子注入,不受形狀、大小、表面狀態限制

    ü可靠性高,氣體消耗量低,易于維護,成本低;

    ü獨特的脈沖等離子體配置和偏振技術,所需能量低,電流輸入輸出能力高,工藝穩定性高,可以實現保形處理;

    ü能夠以較小的占地面積處理大型部件;

    ü工藝時間短:工藝時間與待注入的機械部件的大小無關,即使要求的注入量非常高;

    ü可按照用戶要求定制;

    ü有全自動、工程和手動模式,工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝;

    ü工藝recipe可編輯,工藝參數可監測、控制和記錄,可查看報警歷史。

    注入晶圓尺寸

    6英寸,兼容5、4、3、2英寸,不規則小片,最小可注入1 cm2的樣品。

    原理

    把要處理的部件放在真空室中的夾具上,并完全浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中。當夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時,開始注入。

    注入能量范圍

    單價離子30KeV200KeV,可升級二價/三價離子注入,注入能量可升級到400 KeV/600 KeV。

    應用

    ü改善表面機械性能,減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;

    ü提高表面耐腐蝕、耐化學、耐高溫性能;

    ü改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

    ü提高生物相容性;

    ü逸出功工程;

    ü用于高級存儲器和硅基光電學的納米沉淀和納米結構;

    ü加氫(Hydrogenation),吸氣(gettering)。

    注入角度

    、,可通過手動更換夾具的方式來改變注入角度。

    加速電壓

    1 kV ~ 10 kV

    注入劑量范圍

    1×1011 at/cm2  1×1018 at/cm2

    標準注入電流

    5 mA ~ 100 mA (N2)

    注入均勻性

    ü4”片內、片間1σ ≤ 1.0 % (注入條件:4英寸硅片,1000 ?氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1×1014 at/cm2.);

    ü6”片內、片間1σ ≤ 1.0 %(注入條件:6英寸硅片,1000 ?氧化層,11B,注入能量100KeV,注入劑量1×1014 at/cm2

    標準注入時間

    30 min ~ 3 h

    真空度

    ü離子源:≥ 2×10-6 mbar2 x10-4 Pa);

    ü束流管:≥ 7×10-7 mbar7x10-5 Pa);

    ü 靶室:≥ 7×10-7 mbar7x10-5Pa);

    ü離子源真空系統初真空泵為化學干泵,高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統初真空泵為干泵,高真空泵為冷泵。

    可注入選項

    N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

    最大注入束流

    ü11B單價離子:≥ 600μA;

    ü 31P單價離子:≥ 1500μA;

    ü75As單價離子:≥ 1500μA。

    (注入條件:6”晶圓,注入能量120KeV200KeV)。

    注入部件尺寸

    ≤ 400 mm×400 mm×200 mm

    離子源氣路系統

    包含5路氣體:BF3、PH3、AsH3、ArN2,所有氣路系統都集成在機器里面,能實時監控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術。

    輻射

    在任意外部屏蔽點10 cm< 0.6 μSv/h

    軟件功能

    包括但不限于:權限管理、參數管理、手動控制、實時數據、數據記錄、報警管理等。軟件可根據需求免費更新升級。

    注入劑量范圍

    1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2

    腔室氣壓

    < 5×10-6  mbar

    設備尺寸

    1.6×2.15×2.3m(標準型);2.15×2.15×2.3m(加大型)

    輻射

    在任意外部屏蔽點10 cm< 0.6 μSv/h

    注入劑量范圍

    1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2

    離子輻射滿足國際相應標準,具有CE認證。

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