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    北京特博萬德科技

    電子束蒸發/磁控濺射/RIE等離子刻蝕/PECVD沉積系統

    美國Torr托爾公司,成立于1989年,公司的創始人來自美國NASA項目組,有著豐富的經驗背景。
    公司主要產品包括熱蒸發系統、電子束蒸發系統、磁控濺射儀、離子刻蝕機(RIE ICP-RIE)、等離子化學氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。

    托爾公司是專業的薄膜沉積和刻蝕設備制造商,服務于科研和工業應用領域。在美國,托爾公司的產品深受一些知名大學像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。
    公司產品更是遠銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。
    特別是托爾公司的蒸發、濺射和刻蝕聯合系統,集多種功能于一身,加上無以匹敵的價格優勢,可以預見在未來幾年托爾產品將會不可抗拒的占據中國的高校和科研市場。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯合系統。


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    商品描述

    美國Torr托爾公司,成立于1989年,公司的創始人來自美國NASA項目組,有著豐富的經驗背景。
    公司主要產品包括熱蒸發系統、電子束蒸發系統、磁控濺射儀、離子刻蝕機(RIE ICP-RIE)、等離子化學氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。

    托爾公司是專業的薄膜沉積和刻蝕設備制造商,服務于科研和工業應用領域。在美國,托爾公司的產品深受一些知名大學像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。
    公司產品更是遠銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。
    特別是托爾公司的蒸發、濺射和刻蝕聯合系統,集多種功能于一身,加上無以匹敵的價格優勢,可以預見在未來幾年托爾產品將會不可抗拒的占據中國的高校和科研市場。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯合系統。



    美國Torr—蒸發/濺射薄膜沉積與刻蝕設備

    -------------------真正買得起的高端產品 -- 科研用戶不二的選擇----------------

    • 美國Torr介紹


           美國Torr托爾公司位于美國紐約市,成立于1989年,公司的創始人來自美國NASA項目組,有著豐富的經驗背景。
           托爾公司是專業的薄膜沉積和刻蝕設備制造商,服務于科研和工業應用領域。特別是托爾公司的蒸發、濺射和刻蝕聯合系統,集多種功能于一身,加上無以匹敵的價格優勢,可以預見在未來幾年托爾產品將會不可抗拒的占據中國的高校和科研市場。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯合系統。

           超過25年的設計和制造經驗,產品從結構設計到使用的便利性近乎完美,深受廣大用戶的歡迎。在美國,托爾公司的產品深受一些知名大學像UCLA、Berkeley和Columbia等和很多世界500強公司像IBM、Boeing和Texas Insturments National Semiconductor等的青睞。公司產品更是遠銷到歐洲、俄羅斯、中國、日本、韓國等世界各地。

    • 公司產品系列


           公司主要產品包括熱蒸發系統、電子束蒸發系統、磁控濺射儀、離子刻蝕機(RIE ICP-RIE)、等離子化學氣相沉積PECVD、原子層沉積ALD和離子束沉積IBD等。

    值得一提的是托爾公司的蒸發、濺射和刻蝕聯合系統,集多種功能于一身,加上無以匹敵的價格優勢,可以預見在未來幾年托爾產品將會不可抗拒的鋪向中國的高校和科研市場。托爾公司可以按照客戶要求定制各種多功能聯合系統。

       

    名稱

    電子束蒸發系統(以EB-4P為例

    特點

    完全可定制,結構緊湊,實用,可靠性高,薄膜沉積均勻,粘附性好,沉積速率可嚴格控制,污染低,具備多軸旋轉能力。

    多種材料的連續沉積,可以完成幾乎所有的金屬材料和介電薄膜的沉積,是一款極高端配置的高真空鍍膜設備,可滿足用戶幾乎所有的苛刻要求。腔室采用最佳的D字型設計,是美國托爾公司的獨特設計,完全不同于其他所有的制造商,這種設計可以更方便的靠近電子槍,方便更換干鍋和基片樣品。更重要的是這種設計可以使腔體小型化,靈活方便,也可以使任何組件和樣品方便進出,達到最佳的尺寸和便利性的結合。

    應用

    專為實驗室/大學研發或小規模生產設計,適用于在納米技術、光學、顯微鏡、MBE、功能性和裝飾性涂層等應用中沉積幾乎所有的金屬比如Ti, Pd, Ag, Ge, Ni, Ta, Cr, W, Nb, Al, Au, Pt等,以及像SiO2, Ga2O3等氧化材料、磁性材料和電介質等。

    基本

    配置

    工藝腔室

    不銹鋼D字型腔室設計,前開門,便于靠近蒸發源、樣品臺和其他所有附件。配有不銹鋼篩網的4”直徑的觀察窗方便監測工藝過程。

    電子束槍

    44cc水冷干鍋,并配有快門擋板。

    樣品臺

    樣品臺尺寸4” 直徑(更大的樣品臺可根據客戶要求設計),可以承載最大4”直徑的樣品或多個更小及不規格的樣品,樣品臺可加熱300°C。可以0-20 rpm 旋轉。配備快門遮擋防止污染。

    電源類型

    配備X-Y掃描控制器的高壓電源(3kW15 kW

    真空系統

    由機械泵和抽速450L/S的分子泵組成。這樣的真空組合,可以實現基礎真空10-6 Torr,極限真空10-7 Torr。放氣閥與真空泵間安全互鎖。

    附加裝置

    帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器,實時監測沉積速率和膜厚。

    具有顯示和讀數功能的全系列真空計,測量范圍760 ~ 10-9Torr。

    控制系統

    全自動

    可選

    配置

    水冷裝置、與樣品傳送系統相匹配的真空進樣室、多軸旋轉樣品臺(尺寸和高度可調)、石英燈加熱裝置(從300°C800°C)、行星式基臺、PLC控制系統、PC控制系統、SQC 310薄膜厚度監測器&沉積控制器、機動快門、大容量坩堝和高功率電源、渦旋干泵、低溫泵送系統、冷陰極或熱陰極電離真空計、額外的備用法蘭、帶數字讀數的質量流量控制器、射頻清洗功能、原位掩模更換裝置

    類似

    產品

    熱蒸發系統 :采用電阻加熱蒸發源材料,沉積膜層。受蒸發溫度、材料熔點及壽命限制,應用有限,成本較低。

    CRTECompact Research Thermal EvaporationSystem:研究用小型熱蒸發系統。

    名稱

    磁控濺射系統(MagSputTM系列)

    特點 

    靈活可拓展,可完全按照要求定制,靶數量可拓展且易于更換,可實現共濺射、不破壞真空的連續濺射和反應濺射。

    該型號集成了LoadLock裝載室,裝片后可實現自動進出片,大大提高了基片的潔凈度,進而提高了成膜質量。同時LoadLock裝載室與工藝腔室間有閘板閥隔離,也保證了工藝腔室超高真空度,大大降低腔室中顆粒的散射作用,使成膜質量更高。

    應用

    專為研發和原型生產設計,可用于開發多層光學鍍膜、傳感器器件、太陽能電池、燃料電池、薄膜研究、超導體研究、ASIC、MEMS、磁性器件和生物醫學研究等各種應用的沉積工藝。

    基本配置

    工藝腔室

    304L不銹鋼材質,前開門設計,便于更換靶材,更容易靠近樣品臺和厚膜儀、熱偶、進口等。配有不銹鋼篩網的4”直徑的觀察窗方便監測工藝過程。

    磁控槍

    4個直徑 4” 磁控槍(2個直流2個射頻)。每個槍有獨立的自動快門擋板,可以沉積各種介電材料,導體和半導體材料等。為了得到最佳的沉積速率,樣品臺和靶之間的距離可調。

    樣品臺

    尺寸4.5” 直徑(更大的樣品可根據客戶要求定制),可以承載最大4”直徑的樣品或多個更小及不規格的樣品,樣品臺可加熱600°C,0-20 rpm 旋轉,保證了成膜質量和均勻性。與靶之間距離可調。樣品臺配有自動快門擋板。

    電源類型

    DC/RF濺射沉積。DC直流電源用于金屬沉積,RF射頻電源用于金屬氧化物的沉積,可組合。射頻電源自動匹配網絡,反射功率小于1%;

    真空泵

    渦輪分子真空泵配套雙級旋片式真空泵;

    附加裝置

    帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器;

    帶數字讀數的質量流量控制器;
    具有顯示和讀數功能的全系列真空計,測量范圍760E-9 Torr;

    控制系統

    全自動。

    可選

    配置

    水冷裝置、基材預清潔、與樣品傳送系統相匹配的真空進樣室、多軸旋轉樣品臺(尺寸和高度可調)、行星式基臺、石英燈加熱裝置(從300°C-800°C)、PLC控制系統、PC控制系統、SQC 310薄膜厚度監測器&沉積控制器、機動快門、渦旋干泵、低溫泵送系統、冷陰極或熱陰極電離真空計、額外的備用法蘭。

    類似

    產品

    CRC 600:研究用小型手動涂覆濺射系統,專為納米技術研究環境而設計,可用于開發鋁、碳、鉻、金、特氟龍、二氧化硅、鉭、鎢和鈦等材料的沉積工藝。有DC預清潔和RF蝕刻功能。
    IBD System:離子束沉積系統,離子束直接聚焦在靶材上激發出原子沉積在基板上。一般會使用第二個離子源IBAD來控制和增強濺射膜的性質。

    名稱

    Reactive Ion Etcher System反應離子刻蝕系統

    特點

    可以根據幾何形貌和研究需求處理各種尺寸樣品,刻蝕均勻性<5%

    應用

    可用于包括氧化物、氮化物、聚合物等薄膜及硅和微電子器件的材料的各向同性蝕刻,適用于研究和開發,可用于小型試驗生產應用。

    基本配置

    腔體:頂部開口的鋁或不銹鋼腔體(蛤殼式),有觀察窗,尺寸可定制;
    樣品臺:尺寸大小可定制,帶水冷裝置;
    電源類型:功率和頻率可定制的RF射頻電源,自動匹配網絡;
    真空泵:渦輪分子真空泵系統搭配旋片式真空泵,可以實現<E-5Torr的真空;
    附加裝置:在樣品臺上方定制氣體噴淋裝置;
    質量流量控制器MFC:用于工藝氣體數字讀數,數量可定制;
    真空計:具有顯示和讀數功能,測量范圍E-6Torr;
    控制系統:手動或PC全自動

    可選配置

    水冷裝置、尾氣處理裝置、PLC控制系統、PC控制系統、多氣路(質量流量控制器)、額外的備用法蘭、耐腐蝕真空泵系統、耐腐蝕全金屬密封質量流量控制器、耐腐蝕真空計、具有數字顯示和讀數的隔離式全量程真空計(用于預處理的本底壓力測量)

    類似產品

    ICPRIE系統(Inductively Coupled Plasma):電感耦合等離子體刻蝕,通過在非諧振感應線圈上施加耦合射頻電磁場產生等離子體。具備各向異性,可獨立控制等離子體密度和能量,等離子體相比于傳統等離子體生成方式密度高而氣壓低,能實現低損傷刻蝕和納米結構刻蝕,廣泛應用于MEMS制造工藝中。

    名稱

    PECVD等離子體增強化學氣相沉積系統

    特點

    完全可定制,沉積速率快,成膜質量好,反應溫度低。

    應用

    適用于實驗室/大學研究或小規模生產,廣泛應用于半導體封裝行業、LED、太陽能等領域,可沉積SiO2、Si3N4、非晶硅等半導體化合物薄膜。

    基本配置

    腔體:電鍍拋光不銹鋼D型腔體,水冷,全開式前門,有一個4英寸可視窗口,用不銹鋼網覆蓋來防止沉積。箱體底板連接基板臺。頂板連接進氣口、RF射頻噴頭等離子體源。
    樣品臺:尺寸大小可定制,可配備加熱和溫度監控調節功能。
    電源類型:功率可選,頻率一般為13.56 MHzRF射頻電源,風冷,可以自動匹配網絡,可顯示正向和反射功率。
    真空泵:渦輪分子真空泵搭配雙級旋片式真空泵,將本底壓力控制在E-7范圍。
    附加裝置:帶數字讀數的質量流量控制器MFC,數量可升級具有顯示和讀數功能的真空計,測量范圍760E-2 Torr
    控制系統:半自動

    可選配置

    水冷裝置、密封件、法蘭墊片、維修套件、真空計、加熱裝置、尾氣處理器、PC全自動/手動/服務模式、SQC 310薄膜厚度監測器&沉積控制器、與樣品傳送系統相匹配的真空進樣室。

    類似產品

    ALDAtomic Layer Deposition)系統:原子層沉積系統,可以將材料以單原子膜形式逐層沉積,均勻性和一致性極好,應用于高級硬盤驅動器、DRAM、存儲電容器、TFEL顯示器(磷光層)、太陽能電池、MEMS、OLED等領域。

    名稱

    電子束蒸發+熱蒸發+磁控濺射+離子束輔助聯合系統

    名稱

    電子束蒸發+熱蒸發+磁控濺射+刻蝕聯合系統

    特點

    集合多種功能一體,靈活可拓展,可完全按照要求定制,各系統共用電源、水冷、氣柜和真空泵等,極大地節省空間及成本。

    特點

    集合多種功能于一體,靈活可拓展,可完全按照要求定制,可選DCRF蝕刻,各系統共用水冷、氣柜和真空泵等公共設施,極大地節省了空間及成本;

    基本配置

    腔體:電鍍拋光不銹鋼D型腔體,16"× 16"× 20",有4英寸直徑帶手動擋板的觀察窗;
    靶槍:兩個尺寸可定制的伸縮式磁控槍,帶擋板;
    坩堝:帶水冷坩堝的4個電子束源,容量3cc,帶擋板;
    加熱源:兩個具有獨立擋板的電阻式加熱源,與電源一體化;
    離子源:采用會聚離子束源的離子束沉積和電源,靶材易于更換;采用發散束離子源的離子束輔助沉積和電源;
    樣品臺:4英寸樣品臺,可加熱和旋轉;
    電源類型:帶X-Y掃描控制器的高壓電源(3kW-10 kW);600W 13.56 MHz射頻電源,自動匹配網絡;與兩個電阻式蒸發源一體的600W直流電源;
    真空泵:低溫泵(1500 L/s空氣,4000 L/s水蒸氣)配套雙級旋葉低真空泵;
    附加裝置:

    三位置角度閥;

    帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器;

    帶數字讀數的質量流量控制器MFC;

    具有顯示和讀數功能的全范圍真空計;

    定制氣體噴淋裝置;

    控制系統:PLC控制系統;

    基本配置

    腔體:電鍍拋光不銹D型腔體,16"× 16"× 20",有4英寸直徑帶擋板的觀察窗;
    靶槍:尺寸可定制,帶有氣動快門的兩個可調傾斜磁控槍;
    坩堝:帶水冷坩堝的4個電子束源,容量3cc,帶擋板;
    加熱源:兩個具有獨立擋板的電阻式加熱源,與電源一體化;
    樣品臺:4英寸水冷樣品臺,可加熱和旋轉;
    Load Lock:帶獨立渦輪真空系統,與樣品傳送系統相匹配的真空進樣室Load Lock,配備用于裝載Load Lock的磁耦合傳送臂;
    電源類型:帶X-Y掃描控制器的3kW直流高壓電源;具有自動匹配網絡的600W 13.56 MHz射頻電源;具有2個電阻式蒸發源的600W直流電源;
    真空泵:1500 L/s低溫泵搭配雙級低真空粗抽泵;
    附加裝置:

    三位8英寸角度閥;

    帶沉積控制器的石英晶體厚度傳感器/監測器;

    2個帶數字讀數的質量流量控制器MFC;

    定制氣體噴淋裝置;
    控制系統:PLC控制系統;

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