鍍膜工藝

標準熱氧化工藝，可提供PECVD工藝；

鍍膜工藝

標準LPCVD工藝，可提供PECVD工藝；

鍍膜基底

硅片、石英玻璃、藍寶石片等；

鍍膜基底

硅片、石英玻璃、藍寶石片等；

SiO2厚度

15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm，1um、2um、3um、6um.......

SiN厚度

50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um.......

表面

單面氧化、雙面氧化；

表面

單面氮化、雙面氮化；

基底尺寸

6英寸向下兼容，部分8英寸和12英寸；

基底尺寸

6英寸向下兼容；

粗糙度

選用超高平整度基底，鍍膜均勻性高，整體粗糙度好；

粗糙度

選用超高平整度基底，鍍膜均勻性高，整體粗糙度好；

平整度

超高平整度，質量高，適用多種用途。

平整度

超高平整度，質量高，適用多種用途。