氧化膜SiO2 |
低應力氮化膜SiN |
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鍍膜工藝 |
標準熱氧化工藝,可提供PECVD工藝; |
鍍膜工藝 |
標準LPCVD工藝,可提供PECVD工藝; |
鍍膜基底 |
硅片、石英玻璃、藍寶石片等; |
鍍膜基底 |
硅片、石英玻璃、藍寶石片等; |
SiO2厚度 |
15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um....... |
SiN厚度 |
50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um....... |
表面 |
單面氧化、雙面氧化; |
表面 |
單面氮化、雙面氮化; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容; |
粗糙度 |
選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好; |
粗糙度 |
選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好; |
平整度 |
超高平整度,質量高,適用多種用途。 |
平整度 |
超高平整度,質量高,適用多種用途。 |
鍍膜工藝 |
標準熱氧化工藝,可提供PECVD工藝; |
鍍膜工藝 |
標準LPCVD工藝,可提供PECVD工藝; |
鍍膜基底 |
硅片、石英玻璃、藍寶石片等; |
鍍膜基底 |
硅片、石英玻璃、藍寶石片等; |
SiO2厚度 |
15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um....... |
SiN厚度 |
50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um....... |
表面 |
單面氧化、雙面氧化; |
表面 |
單面氮化、雙面氮化; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸; |
基底尺寸 |
6英寸向下兼容; |
粗糙度 |
選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好; |
粗糙度 |
選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好; |
平整度 |
超高平整度,質量高,適用多種用途。 |
平整度 |
超高平整度,質量高,適用多種用途。 |