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  2.  
    北京特博萬德科技
    氧化硅SiO2/氮化硅SiN膜
    來源: | 作者:北京特博文宣部 | 發布時間: 2008-02-19 | 2135 次瀏覽 | 分享到:

    氧化膜SiO2

    低應力氮化膜SiN

     

     

     

    鍍膜工藝

    標準熱氧化工藝,可提供PECVD工藝;

    鍍膜工藝

    標準LPCVD工藝,可提供PECVD工藝;

    鍍膜基底

    硅片、石英玻璃、藍寶石片等;

    鍍膜基底

    硅片、石英玻璃、藍寶石片等;

    SiO2厚度

    15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um.......

    SiN厚度

    50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um.......

    表面

    單面氧化、雙面氧化;

    表面

    單面氮化、雙面氮化;

    基底尺寸

    6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸;

    基底尺寸

    6英寸向下兼容;

    粗糙度

    選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好;

    粗糙度

    選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好;

    平整度

    超高平整度,質量高,適用多種用途。

    平整度

    超高平整度,質量高,適用多種用途。




    鍍膜工藝

    標準熱氧化工藝,可提供PECVD工藝;

    鍍膜工藝

    標準LPCVD工藝,可提供PECVD工藝;

    鍍膜基底

    硅片、石英玻璃、藍寶石片等;

    鍍膜基底

    硅片、石英玻璃、藍寶石片等;

    SiO2厚度

    15 nm、25nm、50nm、100nm、120nm、150nm、200nm、300nm、500nm,1um、2um、3um、6um.......

    SiN厚度

    50 nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、1um.......

    表面

    單面氧化、雙面氧化;

    表面

    單面氮化、雙面氮化;

    基底尺寸

    6英寸向下兼容,部分8英寸和12英寸;

    基底尺寸

    6英寸向下兼容;

    粗糙度

    選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好;

    粗糙度

    選用超高平整度基底,鍍膜均勻性高,整體粗糙度好;

    平整度

    超高平整度,質量高,適用多種用途。

    平整度

    超高平整度,質量高,適用多種用途。





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