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  2.  
    北京特博萬德科技
    硅外延/藍寶石外延SOS/GaAs外延/Inp外延/GaN外延
    來源: | 作者:北京特博文宣部 | 發布時間: 2009-02-19 | 2537 次瀏覽 | 分享到:

    Type

    Substrates

    Display

    Desciption

    Si Epi

    Si

    size

    3-8”

    Type

    P/P++, N/N++, N/N+, N/N+/N++, N/P/P, P/N/N+

    Epi Resistivity (Ω*cm)

    0.001-1500

    Homogeneity

    <6%

    Epi Thickness  ( μm)

    0.1-200

    Homogeneity

    <10%

    R-Sapphire

    (SOS)

    size

    EPI Thickness (um)

    EPI Res.(ohm.cm)

    150 mm (6”)

    0.3

    >30

    100 mm (4”)

    0.3,0.6

    >30

    5-30

    2.5-10

    76 mm (3”)

    0.6-5

    0.003-0.025

     

    GaN/SiC Epi

    C-Sapphire

    EPI  Type

    N(Si)、P(Mg)、不摻雜

    Standard size

    2”

    Sapphire Thickness (um)

    430

    EPI Thickness (um)

    3-9um

    Si/SiC

    4-6GaN Epi on Si /SiC

    4-6SiC Epi on SiC

      

     

    LED/LD Epi

    GaAs

     

    2", 2 um AlInP EPI layer on GaAs substrate

    典型波長:

    792nm、808nm、825nm、880nm、915nm、940nm、976nm、980nm、1060nm、1550nm??芍谱?/span>2W4W器件。

    可以提供LED級別的,2寸紅光,藍光,綠光外延片。我們擁有MBE工藝,按客戶要求定制苛刻要求的各種GaAs基,InP基,Si基等復雜結構的外延。

    可提供PL、X-ray、ECV檢測報告。

    2" AlGaAs on GaAs(N-type i-doped)  substrate
    EPI: Al(x)Ga(1-x)As, x=0.15

    3"  structure is from bottom to top 
    GaAs(100)~200nm In0.5Ga0.5P~1400nm GaAs~320nmAI0.2Ga0.8As~30nmGaAs

    InP

     

    2" /InP/ undoped

    2", 2 um InGaAs EPI layer on InP substrate

    InP / 1.8 micron / undoped

    In(0.53)Ga(0.47)As/300 nm / p-type 1e18 cm-3

    InP substrate / 350 micron / undoped

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